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| 記事No | ： 2524 |
| タイトル | ： SIT(V-FET) 2SJ20A-2SK70A パワーアンプ |
| 投稿日 | ： 2019/11/10(Sun) 14:23:23 |
| 投稿者 | ： TAKA |
kontonさん、みなさん、こんにちは TAKAです。
kontonさんの「SIT(V-FET) 2SJ20A-2SK70Aの パワーアンプ」製作記を拝見しました。
回路図を見ての第一印象はとても洗練されていると感じました。
特徴は2SC959/2SA606によるダブルコンプリメンタリードライブ回路でしょうか。
V-FETはアイドル時のゲートバイアスが-8V〜-9V程度と深く、今までのドライブ回路はツェナーダイオードとエミッタフォロワを組み合わせた回路が一般的だったと思われます。
バイアスが深く、電源有効性の低いデバイスの為、ディスコンになったのでしょう。
今回の回路は強力にV-FETをドライブするのでV-FETの入力容量、帰還容量による遅延の影響は少ないでしょう。
産業で使われるスイッチングデバイス、IGBTのドライブ回路は確かこの様な回路だと思います。
矩形波の応答波形がオーバーシュートもアンダーシュートもなく綺麗なのはこのためだと思われます。
kontonさんが使用した半導体はすべて製造中止品ですが、ふんだんに使われているのは凄いですネ。
私が使っている4-WAY低音用のパワーアンプは40年前に製作した金田式AB級80W+80W DCアンプですが、最近、たまに左CHからゴソゴソ音が発生します。多分、初段ソリトロン製FET(2N3954)の劣化と推測していますが、そろそろ更新時期になっています。
kontonさんの回路を参考にして製作しようと思います。
入力容量が一桁大きいPOWER MOS-FETでもこのドライブ回路は魅力的です。
V-FET以外は代替品があるので製作できそうです。