愛　す　べ　き　横　型　Ｆ　Ｅ　Ｔ
（０１０４２２０１）




東芝の２ＳＫ３０ＡＴＭ
（｜Ｙｆｓ｜＝１．２ｍＳ、Ｉｇｓｓ＝１ｎＡ、Ｃｒｓｓ＝２．６ｐＦ）

金田式ＤＣアンプの長い歴史を最初からずっと支え続け、しかも未だに現行品という希有な存在。

現行品でどこでも容易に入手可能だから博物館には未だ相応しくはないものだが、殿堂入りという意味では最も相応しい。

では、博物館にも相応しいように旧型のＫ３０もお見せしましょう。
それが左で右の現行品より随分小さい。が、実はこれもＫ３０Ａと表記されているから本当の初期型ではないかな。(^^;

金田式ＤＣアンプでは初段差動アンプ用として用いられる。
かつての初段差動アンプの役割は端的に言えばバッファーで、ＧｍよりもＩｇやＣｒｓｓが小さいことが重要だった訳だが、近年初段差動アンプに電圧ゲインの確保という役割も負わせることになってもなおこの２ＳＫ３０が起用されているのは無理矢理という感もある・・・。やはりその音ゆえか(^^;

ところで、これを初段差動アンプに用いるためにはデュアルＦＥＴではないから当然ペア選別が必須だ。

厳密に測定するとなれば動作状態でＶｇｓを測ってペアにすることになるが、大抵はＩｄｓｓを測定してこれが一致するものをペアにすれば十分ということになっている。

さらに、いにしえにはゲート漏れ電流の少ないものを選別してこれを信号入力側に割り当てるという作業があった。が、今や知る人も少ないかも知れない。

左がその測定回路の一例だが、まずＳＷオンの状態でＶＲを調整しＩｄを例えば１ｍＡに設定した状態でＳＷをオフにすると右下の式でゲート漏れ電流Ｉｇが計測される。
簡単にはＳＷオフでのＩｄの増加度合いで選別する。

いにしえの頃これに合格するＫ３０の率は随分低かったと記憶しているが、最近のＫ３０はどうだろう？

カスコードアンプを付加し、Ｖｄを下げてＩｇを下げＣｒｓｓの影響も排除するものとなって、こんなことをする必要などなくなったのだが、色々なＦＥＴで試してみると面白いかもしれない。（勿論各ＦＥＴの耐圧に合わせてＶｄｄは調整して下さい）



（０１０９３００１）

上で微かな記憶に基づいて「本当の初期型ではないかな」と書いたら、本当の初期型がやってきた・・・（｡｡)
　　　

東芝の２ＳＫ３０
末尾に「Ａ」も「ＡＴＭ」も付かない。即ちこれがオリジナルの２ＳＫ３０・・・
そうだったよね、あの頃のＫ３０にはこんな鍔のようなものが付いてたっけ・・・これを見るのはもうかれこれ３０年ぶりぐらいじゃなかろうか
金田式が登場した頃にはまだあった。これを熱結合して金田式に起用するのは鍔の部分を削って接着しなければならなかった。・・・そんなことをやったような記憶があるのだが・・・もはや定かではない(^^;

（発掘者ｉｚｕさん）
（０１０４２８０２）


デュアルＦＥＴ、ソリトロンのＦＤ１８４０とＦＤ１８４１。

ＦＤ１８４０は２Ｎ３９５４の、ＦＤ１８４１は２Ｎ３９５４ＡのIdss選別品。よってＦＤ１８４１の方がデュアルＦＥＴのペアマッチ度が優れている。

これら２Ｎ３９５４ファミリーのＶｇdｓ耐圧は２ＳＫ３０に同じ５０Ｖだが、５０Ｖかけてもゲート漏れ電流が国産に比較して段違いに少ない上に、ペアマッチ度も優れている・・・はずだったのだが・・・(^^;

左のＦＤ１８４０は１９８７年製で右のＦＤ１８４１は１９９９年製だが、２Ｎ３９５４ファミリーはソリトロン社で今も生産されている現行品のようだ。

金田式ＤＣアンプでの初採用は７５年３月号のＮｏ−１４と、これも古いＦＥＴだが、２０００年６月号のＮｏ−１５９で久しぶりに復活した。

再生系ではＫ３０で代用可能なのだが、ＤＣマイクを製作しようとすればこれ以外に選択肢はない？



（０１０４２９０１）



ＤＬ−１０３でレコードを聴く・・・なんてすっかりマイナーな世界になった。世のプリアンプもフォノ入力などなくて普通。

この国も遺産の切り捨ては早い。日本人の諦観は経済合理性に寛容だ。

ソニーの２ＳＫ９７、２ＳＫ２４５。
超マイナーなおじさんだけに必須の国産デュアルＦＥＴ(^^;

｜Yfs|が大きい割にＣｒｓｓはそんなでもなく、ノイズも小さくてＭＣカートリッジに対応したゲインが確保できる唯一のデュアルＦＥＴで、金田式ＤＣプリアンプのＭＣイコライザーはこの２種のＦＥＴのどちらかがないと製作できない。（真空管を使う方は格別(^^;）

そもそも初段差動アンプ用に開発されたデュアルＦＥＴだと思うが、その用途にはＩｄｓｓが不必要に大きいのが面白いところ。
２段目差動アンプに起用しても良さそうだが、その場合初段用のデバイスがない。

別の使い道？があったのか。どなたかご存じであれば教えて下さい。




（０１０４２９０２）



東芝２ＳＪ７２

Ｉｄｓｓや｜Ｙｆｓ｜は国産横型ＦＥＴでは最大級で、無理なくＴＲに匹敵または上回るゲイン確保が可能な希有なＦＥＴだった。

９１年９月号のＮｏ−１２２“オールＦＥＴスーパーストレート・プリアンプ”で初めて採用されたが「そのＣｒｓｓは１８５ｐＦ。溜息が出そうなバカでかい値だ」と嘆かれている。

実はＣｒｓｓはＣｉｓｓの間違いで、正しいＣｒｓｓは５５ｐＦだ。Ｃｉｓｓは確かにでかいが、そのＩｄｓｓと｜Ｙｆｓ｜の大きさ、さらに優れた直線性でパワーアンプの２段目差動アンプにも起用できることを考えると、小型ＦＥＴや小型ＴＲと対比するのはかわいそうで、Ａ６０７やＣ９６０に比べて少し大きいかな、と言うのが妥当な線か(^^;

残念ながらディスコンで入手困難だが、今となっては使おうという人もないだろう。






（０１０４３００１）



良く見えないが、モトローラ製？２Ｎ５４６５
わざわざ後ろ側を写したのは微かに残る３本の帯状の線をお見せするため。

２Ｎ５４６５。改訂版「最新オーディオＤＣアンプ」にデータシートが載っているこれも古いＦＥＴだ。いにしえにＤＣチャンネル・デバイダーで２ＳＣ１４００と組み合わせて使用されたが、ＣＲによるパッシブデバイダーの登場とともに活躍の場をなくした。

が、１０数年を経て上のＪ７２に同じく９１年９月号のＮｏ−１２２“オールＦＥＴスーパーストレート・プリアンプ”で復活し、以来、そのＣｒｓｓが１ｐＦと入手可能なＰチャンネルＦＥＴでは最小ということもあって初段差動アンプの定電流回路に多用された。

ところが、その頃市場に出回っていた２Ｎ５４６５には怪しげなものもあって、特に９５年９月号のＮｏ−１３９では数多くの犠牲者を出したことが伝説として語られている。(^^;;

耐圧不足や中には電極配置が逆のものなど、トンデモナイものも出回っていたらしいが、お陰でモトローラのＭのマークの付いた写真のものは“高級品”になってしまった。

が、その２Ｎ５４６５も既にＯＥＭで後ろの３本線はその証という噂もあり、性能はどうだ、音はどうだと多くのＤＣアンプファンを惑わしたのである。


（０１０４３００２）



じゃぁ２Ｎ５４６２ではどうか、という訳で左がモトローラ製２Ｎ５４６２だ。

もともと２Ｎ５４６０から２Ｎ５４６５までは同じファミリーで、２Ｎ５４６０から２Ｎ５４６２までがＶｄｓ耐圧４０Ｖ版、２Ｎ５４６３から２Ｎ５４６５まではＶｄｓ耐圧６０Ｖ版で、それぞれ順番にＩｄｓｓ＝１〜５ｍＡ、２〜９ｍＡ、４〜１６ｍＡで区分したもの。

だから２Ｎ５４６２は２Ｎ５４６５の低耐圧版で他は全く同じだし、当時モトローラの現行品でもあったから、“怪しげで高価”な２Ｎ５４６５より“安くて確か”な２Ｎ５４６２の方が正しい玄人な選択となった。（今は亡きオーテックで厳密なペア品が入手出来たのだが・・・）

確かにこの２Ｎ５４６２の裏には例の３本線はない。(^^）

外見だけでは何も分からんだろ。

とおっしゃる方のために静特性を測ってみた。




（０１０４３００３）


Ｖｇｓ＝０ＶにおけるＶｄｓ−Ｉｄ特性だ。比較のために上の２ＳＪ７２と左の２ＳＪ１０３を一緒に測っておいた。図中＋９１０ΩというのはＧＳ間に９１０Ωの自己バイアス抵抗を入れたもの。

一目瞭然。２Ｎ５４６５、２Ｎ５４６２はうり二つの特性で、Ｊ７２とＪ１０３の国産グループとは際だって違う特性だ。どちらも本物かどちらもにせものかのどちらかなのだろう(^^;（よく見ると２Ｎ５４６２の方がやや優れているようにも見えるが）

２Ｎ５４６５グループは端的に言って出力インピーダンスが低い。肩特性が実にブロードだとも言うのだろうか。これを０バイアスで定電流回路として使用するには最低Ｖｄｓが常に１０Ｖ以上かかることを前提としないと無理だ。

対して国産の方は３Ｖもかかっていれば十分だ。特にＪ７２は１．２Ｖで既に十分立ち上がっている。左の２ＳＪ１０３もこの点では優秀だ。同程度のＩｄになるように２Ｎ５４６５グループのＧＳ間に９１０Ωの自己バイアス抵抗を入れたものに比較してもＪ１０３単体の方が優れている。

残るは“音”なのだが、高い出力インピーダンスを優先すれば最近の完全対称型ＦＥＴプリアンプの２段目にはやはり２ＳＪ１０３だろう。





（０１０７２９０１）



再度２Ｎ５４６５属(^^;

毎度写りが悪いが、左がモトローラ２Ｎ５４６５、中央がスペースパワー（かな？それともインターシル？どなたかご教授下さい）２Ｎ５４６５Ａ、右がモトローラ２Ｎ５４６２

中央の２Ｎ５４６５ＡをＩＺＵさんに提供して頂いたので、静特性を測ってみた。
出力インピーダンス（直流で測っているので出力インピーダンスなんて言うのはおこがましいが(^^;）が高い方が良いという目で見れば２Ｎ５４６５Ａが最も優れているということになるが・・・

これだけでは分からない。そうですね。取りあえず同じ２Ｎ５４６５でも製造会社が違えば中身もちょっとは違ってくるということでしょうか。

肝心の音はどうか。
詳しい方、どうか教えて下さい。





（０１０６０９００１）



ちょっと写りが悪いがＳＯＮＹの２ＳＫ４３
これがデュアルになったものが２ＳＫ９７だ。

これも９１年９月号のＮｏ−１２２“オールＦＥＴスーパーストレート・プリアンプ”ではじめて採用されたものだが、残念にも耐圧が３０Ｖと低いことが災いして９２年６月号のオールＦＥＴパワーアンプでその地位を２ＳＫ１１７に奪われてしまい、以来活躍の場をなくしている。




（０１０６０９００２）



東芝の２ＳＫ１１７

２ＳＫ４３の地位を奪って以来、カレントミラーや定電流回路、さらに完全対称型プリの終段デバイスとして採用されて現在にいたっている。




（０１０４３０００４）

（おまけ）
Vgds
(V)		 Pd
(mW)		 Idss
(mA)		 Vgs
(V)		 |Yfs|(mS)
min　 typ　 max		 Ciss
(pF)		 Crss
(pF)		 |Yfs|/Crss(mS/pF) 備　考
2SK30ATM -50 100 0.3〜6.5 -0.4〜-5.0 1.2　　　　　4.0 8.2 2.6 1.0 　　
2Sk246 -50 300 1.2〜14 -0.7〜-6.0 2.3　　　　　4.0 9.0 2.5 1.3 J103とｺﾝﾌﾟﾘ
2SK117 -50 300 1.2〜14 -0.2〜-1.5 4.0　　15 13 3 5 　　
2SK170 -40 400 2.6〜20 　　 　　　　22 30 6 3.6 J74とｺﾝﾌﾟﾘ
2SK147 -40 600 5.0〜30 -0.3〜-1.2 30 75 15 2.6 J72とｺﾝﾌﾟﾘ
2SK43 -30 300 0.9〜14.3 -0.18〜-1.49 6.3　　10.8　14.0 13 2.5 4.5 　　
FD1840 -50 250 0.5〜5.0 　　 　1　　　　　　　3 3.2 1.2 1.6 　　
2SJ72 25 600 -5.0〜-30 0.3〜2.0 30　　40 185 55 0.72 K147とｺﾝﾌﾟﾘ
2SJ103 50 300 -1.2〜-14 0.3〜6.0 1.0　　4.0 18 3.6 1.1 K246とｺﾝﾌﾟﾘ
2SJ74 25 400 -2.6〜-20 0.15〜2.0 8　　　22 105 32 0.68 K170とｺﾝﾌﾟﾘ
2N5465 60 310 -4.0〜-16 1.5〜6.0 2　　　　　　　4 5.0 1.0 4 　　
2N5462 40 350 -4.0〜-16 1.5〜6.0 2　　　　　　　6 5.0 1.0 6 　　
2SC1400 85 300 Ｉｃ　50 ｈｉｅ　15KΩ hfe　500　33 2.5 13.2 　　
2SA726 -50 150 Ｉｃ　100 ｈｉｅ　15KΩ hie　500　33 3 11 　　
FE86
(6267)		 550 1000 Ｉｐ　6.0 　　 　　　　　2 3.8 0.05 40 　　
404A
(6R-R8)		 180 3000 Ｉｐ　35 　　 　　　　12.5 3.2 0.04 310 　　
（０１０６０９００３）
（おまけその２）
左の回路でゲート漏れ電流を測定した。
と言っても高ｲﾝﾋﾟｰﾀﾞﾝｽの電圧計はないので(^^;、ＳＷオン時とオフ時のIdの差で間接的・相対的に計測したもので、Iｇの絶対値を測定したものではない。

結果は下表のとおりで、なかなかに面白くも悲しい？結果となった。
サンプル数が少ないので結果は断定すべきものではないが・・・時の流れに変化は必然か・・・

２ＳＫ３０は旧型（とうに市場から消えているのでご心配なく）はIgが多く、いにしえにゲート抵抗２２０ＫΩの初期ＤＣアンプに使用する際選別が必須だったことがうなずける。

現行品の２ＳＫ３０ＡＴＭはゲート漏れ電流の点では旧型とは別物であり、Vds＝５０Ｖ、ゲート抵抗８２０ＫΩでゲイン２６ｄｂのアンプに無選別で起用できる高性能さだ。さらにこの改良版と言われる２ＳＫ２４６も同様に優秀だ。

ＦＤ１８４０，ＦＤ１８４１は期待に反してゲート漏れ電流の点ではごく凡庸な結果だった。

そのほかのＫ１１７，１７０，４３，９７，２４５というｇｍの大きいＮチャンネルＦＥＴは総じてＩｇも大きい。

ＰチャンネルのＦＥＴはｇｍの小さい２Ｎ５４６５、５４６２、２ＳＪ１０３のみならずｇｍの非常に大きい２ＳＪ７２（Ｖｄｓが低いせいもあるのだろうが）までゲート漏れ電流は僅少である。

特にモトローラ２Ｎ５４６５、５４６２は実際のところ測定時のＳＷオフで針の動きが確認できないぐらい（Igほぼ０）。
　

ゲート漏れ電流の間接測定（初段用ＦＥＴの選別）
　　 Vdd(V) Id(sw on) Id(sw off) 　　 　　
FD1840(8351) 48 1 1.070 　　 １３９（もどき）その２に最初に起用、初段のオフセット調整トリマーで０Ｖに調整できる範囲
　　 48 1 1.090 　　 　　
FD1840(8351) 48 1 2.140 　　 １３９（もどき）その２に最初に起用、これだと電源電圧に張り付くぐらいのオフセットになる
　　 48 1 2.190 　　 　　
FD1840(8525) 48 1 1.190 　　 １３９（もどき）その２でゲート抵抗７５ＫΩでオフセット３００ｍＶ程度
　　 48 1 1.140 　　 　　
FD1840(8525) 48 1 1.160 　　 １３９（もどき）その２でゲート抵抗７５ＫΩでオフセット１００ｍＶ程度
　　 48 1 1.160 　　 　　
FD1840(8616) 48 1 1.120 　　 １３９（もどき）その２でゲート抵抗２２０ＫΩでオフセット３００ｍＶ程度
　　 48 1 1.125 　　 　　
FD1840(8616) 48 1 1.050 　　 １３９（もどき）その２でゲート抵抗２２０ＫΩでオフセット１００ｍＶ程度
　　 48 1 1.050 　　 　　
FD1841(9926) 48 1 2.280 　　 幻滅と言うしかない
　　 48 1 2.280 　　 　　　
FD1840(8001) 48 1 1.060 　　 サンプル追加。こんなものなのかなぁ・・・
　　 48 1 1.060 　　 　　
2SK30（旧型） 48 1 1.450 　　 旧２ＳＫ３０のＩｇはこんなものだろう。
2SK30（旧型） 48 1 3.000 　　 今回測定したものは全部選別ではじかれるレベルのゲート漏れ電流
2SK30（旧型） 48 1 5.000 　　 合格ラインはId(sw off)＝１．１以下か？
2SK30（旧型） 48 1 3.100 　　 したがって、かつては１０個に１個合格するものがあれば幸運のレベルだった
2SK30（旧型） 48 1 3.500 　　 　　
2SK30ATM 48 1 1.020 以下 サンプル数１３個。Ｉｄ(sw off)=1.005程度のものでゲート抵抗８２０ＫΩでオフセット５０ｍＶ位
　　 　　 　　 1.005 程度のものもあり したがって、どれもゲート抵抗８２０ＫΩで実用になる。（ゲート抵抗を２２０ＫΩに下げれば全く余裕だ）
2SK117 48 1 4.800 　　 この程度が普通のレベルか？
2SK117 48 1 4.600 　　 この程度が普通のレベルか？
2SK170 38 1 3.300 　　 この程度が普通のレベルか？
2SK170 　　 1 3.500 　　 この程度が普通のレベルか？
2SK246 48 1 1.005 　　 2SK30ATMの改良版？と言われるＦＥＴだが、これもゲート漏れ電流のレベルは優秀だ。
2SK246 48 1 1.005 　　 2SK30ATMの代わりに使えそう。ＢＬランクもあるので活用範囲も広まるのではないか。
2SK43 30 1 1.530 　　 耐圧が低いためVds＝３０Ｖでのゲート漏れ電流であることを考えると少なくはない。
2SK43 30 1 1.600 　　 　　
2SK245 30 1 1.470 　　 2Sk245も2SK97も2SK43もデュアル版と思うが、これらも初段に用いるためには
　　 　　 1 1.470 　　 カスコードアンプを付加してVdsを下げないと使えないレベルのゲート漏れ電流だ。
2SK245 30 1 1.480 　　 　　
　　 　　 1 1.470 　　 　　
2SK97 30 1 2.140 　　 　　
　　 　　 1 2.160 　　 　　
2SK97 30 1 2.330 　　 　　
　　 　　 1 2.370 　　 　　
2SK97 30 1 2.280 　　 　　
　　 　　 1 2.310 　　 　　
2SK97 30 1 2.240 　　 　　
　　 　　 1 2.500 　　 　　
2N5465 48 1 1.005 以下 テスターの針がピクリともしないので正確ではない。ほぼ電流増加なし。
2N5465 48 1 1.005 以下 テスターの針がピクリともしないので正確ではない。ほぼ電流増加なし。
2N5462 38 1 1.005 以下 テスターの針がピクリともしないので正確ではない。ほぼ電流増加なし。
2N5462 38 1 1.005 以下 テスターの針がピクリともしないので正確ではない。ほぼ電流増加なし。
2SJ103 48 1 1.005 　 優秀！
2SJ103 48 1 1.005 　　 　　
2SJ72 26 1 1.010 　　 Vdsが耐圧の関係上低いこともあるが、予想外に優秀
2SJ72 26 1 1.010 　　 　　
（０2０7０5００1）
（おまけその３）
Ｋ式の初段と言えば２ＳＫ３０＆２Ｎ３９５４。というのもようよう過去に属する事柄になりつつあるようだ。

完全対称型式も初段に積極的にゲインを持たせる型式になって、既に２ＳＫ１７０、２ＳＫ１１７が採用されていたが、まあこれらは初段でゲインを稼ぐためにｇｍが大きくないといけないから・・・と理由付けが可能だった。

が、Ｎｏ−１６８において遂に２ＳＫ２４６が採用された。
Ｋ先生「Ｋ２４６のｇｍはＫ３０の３倍くらいだ」なんておっしゃっているが、規格表をよく見ると分かるとおり実はこの二つのＦＥＴのｇｍは殆ど同じで差がないのだ。となると何故に２ＳＫ２４６なのか・・・音か（＾＾；

ＦＥＴのｇｍは一定値ではなく一般にＩｄが増えるほどに大きくなる。規格表のｇｍ典型値はみな同じＩｄ値における数値を記載しなければならない・・・なんて決まりはないようなので、結果、ｇｍを素子毎に固有の典型値で比較してみても意味がない。ので、Ｉｄを同じ値にしてｇｍを比較してみた。ついでにＫ先生のいわゆるＱ値（ｇｍ／Crss）も求めてみた。

Id= 1mA 5mA
Crss gm Q値 gm Q値
2SK30ATM 2.6 1.5 0.58 3.6 1.38
2SK246 2.5 1.8 0.72 3.7 1.48
2SK117 3 9 3.00 18 6.00
2SK170 6 15 2.50 30 5.00
2SK369 15 20 1.33 40 2.67
2SK214 2.2 10 4.55 27 12.27
2SJ103 3.6 2.5 0.69 4.3 1.19
2SJ74 32 17 0.53 34 1.06
2SJ77 4.8 7 1.46 22 4.58

２ＳＫ１４７、２ＳＪ７２は勿論すでにない、のだが、パッケージがＴＯ−９２と小さいために許容損失が小さくなっている以外は規格からして中身のチップはＫ１４７と同じものではないかと思われるのが２ＳＫ３６９。残念ながらＪ７２には同様の後継品が見あたらない。
ＭＯＳのＪ７７、Ｋ２１４は友情出演。

結果、Ｑ値ではＭＯＳの２ＳＫ２１４が最良だ。さすがＭＯＳといったところか。が同じＭＯＳでもＪ７７はそれなり・・・なのはＰチャンネルの一般だからやむを得ない。

横型ではやはり２ＳＫ１１７ということになるが、２ＳＫ１７０もｇｍがＫ１１７の倍近くあってのものだから悪くない数値だ。２ＳＫ３６９も実はこんな低いＩｄ値でこれだけのＨｉｇｈＧｍが得られるＦＥＴなんて他にないので実に貴重なのだ。

ところで・・・、
ある方からＭＪ８０年６月号に載っているという「音質の最前線探訪　オーディオ用トランジスター、ＦＥＴの開発とその現状」という記事を教えて頂いた。

それによれば、我が国で最初にＦＥＴを商品化したのは東芝で、１９６４年の２ＳＪ１１が第一号だそうだ。さらにオーディオ用としての最初のＦＥＴも東芝の２ＳＫ１７で、１９６７年頃のことだったらしい。のだが、すぐに耐圧を２０Ｖから５０Ｖにアップし、ノイズも減らした等の改良を加えられた新製品が１９６８年に登場した、ということで、それが即ち２ＳＫ３０だ。もう３４年も前・・・

う〜ん、そう言えば右のカレンの若々しく爽やかな歌声もかれこれ３０年前ではないか・・・と音楽からは実体験の過去が蘇ってくる。彼女がこの世を去ってからももう数十年・・・

時の流れとは恐ろしい。そう言えば、この記事の出ている１９８０年の段階で２ＳＫ３０は既に二度のマイナーチェンジを経た後の２ＳＫ３０ＡＴＭになっちゃっていたということなのだが・・・それってそんなに昔のことだったかしらん？　と、呑気に馬齢を重ねる我が身のノー天気なこといと恥ずかしや(^^;;

さて、その記事によれば「最近ではＫ１１７、Ｋ１７０、Ｋ１４７というように１ｍＡで十数ミリから数十ｍモーのものが出てきました」とあるので、これらハイＧｍのＦＥＴの登場は７０年代後半のことだろうか。は、ともかく、このハイＧｍ化のテクノロジーの説明は興味深い。

「ｇｍというのは、ゲート幅Ｗとゲート長ｌとの比とチャンネル濃度Ｎｃに比例するのだが、チャンネル濃度ＮｃはＦＥＴの耐圧に影響するので余り上げられない、とすると、ゲート幅Ｗを増やすかゲート長ｌを縮めるしかない。のだが、Ｗを増やしていくとチップサイズが大きくなって結果コストも上がり、ＣｉｓｓやＣｒｓｓなどの寄生容量Ｃも増加してしまう。じゃあ、といってｌを縮めるとドレイン電流Ｉｄと印加電圧Ｖｄｓの関係が、段々と五極管特性から三極管特性に近づいてきてしまう。」
とあって、ものごとなかなかトレードオフばかりなのだが、そう言う目でこれらＦＥＴの規格、特性図を眺めてみると、あらためてなるほど〜と感心しきりになるものだ。（Ｋ３６９などはハイｇｍなのになかなかのハイ出力インピーダンスだ）

そして、この問題をある程度解決してハイＧｍ化するために東芝で導入したのが“メッシュ・ゲート方式”という新しい手法で、ｇｍの割にはＣもドレイン電流のＶｄｓ依存性も低いＦＥＴが可能になったとのこと。
この手法が採用されたのが２ＳＫ１４７などで、「Ｋ１４７では約６００個のゲート・ユニットを、上下左右共交互にドレインとソースが並ぶように配列したもので、斜め方向に並んだドレインやソースを互いに電極で結んでいます」とある。なるほど、２ＳＫ１４７や２ＳＪ７２といったハイＧｍＦＥＴは当時それなりにハイテクが導入された製品だった訳だ。
が、これらはもう既にない・・・。
多分同チップと思われる２ＳＫ３６９が生き残っているのがせめてもの救いだ。

さて、この記事の中でゲート漏れ電流についての説明もあった。
それによれば、電子とホールの移動度の差がゲート漏れ電流の電圧依存性を変えている原因で、ＮチャンネルのＦＥＴのゲート漏れ電流の電圧依存性が顕著で、逆にＰチャンネルのＦＥＴが顕著でないのは、そもそも電子レベルの物性によるものらしい。なので、上でＰチャンネルのＦＥＴのゲート漏れ電流が僅少で優秀だなどとしたのはものごと知らないが故の感想で、分かっている方からすれば当然のことだった訳だ（＾＾；

ともかく、ディスコンにならないことを祈るばかり・・・の愛すべきＦＥＴたち・・・